本发明公开一种利用真空磁控溅射镀膜技术制备
锂电池C‑Si负极涂层的方法,该方法包括如下步骤:选取光面铜箔,按所使用的真空磁控溅射镀膜设备装载尺寸进行分切;设置真空磁控溅射镀膜设备的Si阴极靶与C阴极靶的安装位置,使Si阴极靶溅射的Si等离子和C阴极靶溅射的C等离子掺杂溅镀实现1/2的体积重叠;设置真空磁控溅镀工艺条件;在真空环境中,真空直流磁控溅镀参杂镀C‑Si膜,使Si等离子和C等离子掺杂并达到200‑500nm厚度;镀膜后的铜箔在真空干燥箱内干燥后真空袋封存;本发明通过磁控溅射真空镀膜技术在锂电池负极铜箔上沉积一层C‑Si复合负极薄膜,以提高负极电极电性能。
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