本发明涉及存储技术领域,且公开了镁原子掺杂硫化钼并用于高性能锂离子存储的方法,包括以下步骤:首先制备MBs前体,将钼酸铵溶解在去离子水中,然后加入硫酸使溶液酸化;然后在磁搅拌3‑5h下将镁粉添加到溶液中;当反应1‑2h完成后,溶液颜色从透明转移到深蓝色,表明获得了MBs前体溶液;接着制备Mg‑MoS2样品,向制备的MBs溶液中添加硫脲;溶解硫脲后,将溶液转移至聚四氟乙烯内衬不锈钢高压反应釜中,并在190‑200℃下反应4‑5h;冷却至室温后,过滤沉淀;再用去离子水和乙醇清洗数次;最后,通过在50‑70℃下真空干燥后获得Mg‑MoS2沉淀,本发明所有这些特性使掺镁1T MoS2成为锂离子电池中一种很有前途的
负极材料,新开发的合成方法将为金属掺杂1T MoS2的制造提供新的前景。
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