一种以锂氮双受主共掺方式制备p型氧化锌基薄膜的方法,本发明属于半导体薄膜制备领域,为克服现有技术中p型ZnO基薄膜制备方法的可重复性低,制备出的p型ZnO基薄膜有效性差和掺杂元素掺入量不能够灵活调控等技术缺陷。该方法包括:以具有单晶结构的ZnO薄膜为平台,用离化的N、O等离子体作为N掺杂源和O源,高纯金属Li作为Li掺杂源,高纯金属Zn作为Zn源,高纯II族金属作为相应所需元素的生长源,制备锂氮双受主共掺的p型ZnO基薄膜。本发明与现有制备p型ZnO基薄膜的方法相比,具有如下优点:1、可重复性高。2、掺入量可调。3、得到的p型ZnO基薄膜可用于光电器件。
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