本发明公开基于铁电调控二维
钙钛矿光电探测器及其制备方法。制备流程为在超声清洁后SiO
2衬底上,采用光刻或掩模版蒸镀的方法制作栅电极,然后在此之上使用旋涂的方法制备聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物(P(VDF‑TrFE))有机铁电聚合物薄膜,经过退火处理,去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。在此之上,使用掩模版蒸镀源漏电极,最后在氮气环境下使用旋涂的方法,旋涂(PEA)
2SnI
4前驱体溶液,再经过退火使溶液挥发促进结晶制备完成(PEA)
2SnI
4光电场效应管器件。该器件对可见光光谱范围有较好响应,响应率为14.57A/W,探测率高达1.74x10
12Jones。响应时间上升沿50ms,下降沿1.5s。
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