本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域,提供一种三维楔形铌酸锂薄膜波导的制备方法,应用于模斑转化。本申请在二维楔形波导的基础上,利用光刻胶存在自身消耗的特性,通过控制光刻胶厚度和刻蚀时间,使得刻蚀过程中光刻胶在楔形尖端先被完全消耗掉,露出铌酸锂层,再受到上方刻蚀气体的作用,从而实现垂直方向上波导厚度的减小。由于光刻胶完全消耗所需时间与波导宽度成正比,因此楔形尖端的光刻胶最先被消耗,波导厚度最小,随着波导宽度增大,波导厚度也相应增大,最终形成一个三维楔形波导结构。本申请利用光刻胶掩膜存在自身消耗的特性,按照传统干法刻蚀工艺即可制备出三维楔形薄膜铌酸锂波导,更进一步地提高了纤芯耦合效率。
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