本发明属于存储材料制备技术领域,具体为一种铌酸锂材料刻蚀及提高侧壁角度的优化方法。本发明方法包括:硬掩膜制作、倾斜刻蚀、金属黑化修正侧壁以及湿法腐蚀清洗。与传统的直接利用干法刻蚀铌酸锂图形不同,本方法将干法刻蚀与湿法刻蚀相结合,不仅能够获得刻蚀角度陡直、侧壁光滑的铌酸锂图形,而且刻蚀效率也极高,同时可对铌酸锂图形进行后期修正。本发明方法对基于铌酸锂材料的纳米加工具有极大意义,并且不会破坏材料的铁电特性。
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