本发明实施例提供一种用于弱光探测的
钙钛矿量子点光电晶体管,其特征在于,包括:上表面水平的基础衬底;栅电极位于基础衬底上;栅介电层和基础衬底全包围栅电极,且投影面积等于基础衬底;金属氧化物半导体薄膜位于栅介电层上;源漏金属电极位于栅介电层和金属氧化物半导体薄膜上;电荷传输界面层位于源漏金属电极中间;钙钛矿量子点材料层位于电荷传输界面层正上方且完全覆盖电荷传输界面层;金属氧化物半导体薄膜、电荷传输界面层薄膜、钙钛矿量子点材料层投影面积等于栅电极。
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“用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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