本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列,其形貌为菱形结构,菱形的边长为100nm~500nm,菱形内角的锐角为30°~60°,阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法,以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌,将混合均匀的溶液移入反应釜中,并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗,再在惰性气氛中热处理,得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极,能明显提高电池的比容量和循环性能,放电容量高达1000mAh/g以上,是一种理想的锂离子电池电极材料。
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“四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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