本申请公开了一种单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制
芯片,其特征在于,包括基底层、下包层、波导芯层、金属层和上包层;基底层、下包层和波导芯层自下而上连接,上包层位于波导芯层上方,金属层位于波导芯层中波导的两侧,并穿过上包层连接波导芯层和外界空气;基底层用作芯片支撑,下包层用作为波导芯层提供高折射率对比度,金属层用作电光调制或吸收杂散光,上包层用作保护所述波导芯层;波导芯层集成有分束调制芯片,用于对光源进行分束调制,波导芯层为薄膜铌酸锂。本申请在薄膜铌酸锂材料上实现了高集成度、小型化和低成本的分束调制芯片,同时确保了系统的高稳定性。
声明:
“单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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