本发明提出了一种硅‑铌酸锂异质集成扫描
芯片,包括铌酸锂衬底、二氧化硅包层和基于硅波导的芯层;二氧化硅包层附在铌酸锂衬底上;芯层包括光分束单元、弯曲波导、热光移相器和出射波导阵列;光分束单元、弯曲波导和出射波导阵列位于上述二氧化硅包层内;热光移相器置于二氧化硅包层上;热光移相器位于所述弯曲波导上;光分束单元包括多个基于硅波导的分束器。本发明将硅波导基片上与铌酸锂材料的异质集成,基于光学相控阵技术,采用热光调制从而改变波导折射率,进而使光束相位变化,出射方向发生偏转,从而获取1520纳米~1620纳米光通信波段的高速低损耗光调制芯片结构。本发明还提出了该芯片的制备方法和应用。
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“硅-铌酸锂异质集成扫描芯片及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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