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可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法

940   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:20:54
本发明公开一种可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法,所述双折射率差值的范围在1.5×10-5~4.8×10-3,所述制备方法包括:在清洗干净的Y切铌酸锂晶片上蒸发一层钛膜,所述钛膜的厚度为65nm~105nm;对所述钛膜进行腐蚀,在所述Y切铌酸锂晶片表面形成沿所述Y切铌酸锂晶片Z方向延伸的钛条,得到包括所述Y切铌酸锂晶片以及所述钛条的芯片,所述钛条的宽度为6μm~8.5μm;将清洗干净的所述芯片置于通入湿氧且设定扩散温度的环境下,静止扩散时间后取出所述芯片即为所述Y切Z传铌酸锂波导,所述扩散时间为6小时~12小时。本发明通过选择钛膜的厚度、钛条的宽度或者扩散时间,从而能够很好地调节Y切Z传铌酸锂波导的双折射率差。
声明:
“可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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