本发明涉及
锂电池技术领域,具体涉及一种用于锂电池的纳米氮化锡/硅
负极材料及其制备方法,所述用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料的制备方法,包括以下步骤:(1)制备负载二氧化硅阵列的硅基底;(2)负载硅阵列的硅基底的制备;(3)将负载硅阵列的硅基底置于真空沉积室中,向沉积室中通入惰性气体和氮气,开启偏压电源,以锡靶位靶材,在负载硅阵列的硅基底上溅射沉积氮化锡薄膜,得到预产物;(4)向真空沉积室中通入氮气,在200~300℃,对预产物进行等离子体刻蚀,得到用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料。本发明的负极材料增加了Li离子脱嵌通道,同时细化晶粒,减少Li离子脱嵌过程中副反应产生,从而提高负极库伦效率。
声明:
“用于锂电池的纳米氮化锡/硅负极材料及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)