本发明涉及氢化锂单晶制备技术领域,尤其涉及一种氢化锂单晶的制备方法及使用的装置。本发明提供了一种氢化锂单晶的制备方法:在氢气的气氛中,处于静止状态的液态氢化锂在移动温度场中生长单晶;所述生长单晶时,固液界面处的液态氢化锂的温度梯度≤10℃/cm,所述移动温度场由加热装置移动形成。本发明提供的制备方法之制备得到的氢化锂单晶晶体缺陷少品质高。由实施例的结果表明,本发明提供的制备方法制备的氢化锂单晶呈半透明状,X射线衍射峰仅有(002)和(004)衍射峰,衍射峰强度高而尖锐,表明氢化锂单晶的阶梯缺陷少,单晶品质高。
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