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铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法

921   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:09:48
本发明公开了一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法,包括:石英基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、金属薄膜电极以及金属封装管壳。本发明的有益效果如下:1)缩短了弯曲波导长度和行波电极长度,去掉了直流偏移补偿电极,实现了铌酸锂QPSK光调制器的小型化;2)采用低介电常数的石英材料作为铌酸锂单晶薄膜的基底晶片,实现了微波折射率与光波折射率的良好匹配,提高了铌酸锂QPSK光调制器的调制带宽;3)去掉了直流偏移补偿电极,降低了铌酸锂QPSK光调制器的信号处理复杂性;4)提高了铌酸锂薄膜晶圆的利用率,降低了铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造成本。
声明:
“铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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