本发明公开了一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器,包括:基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、调制电极、信号电极、地电极、直流偏压电极,所述基底晶片采用具有低介电常数的材料;所述铌酸锂薄膜为单晶结构、X切Y传晶向的光学级铌酸锂单晶薄膜;所述光学波导为钛扩散波导或退火质子交换波导;所述调制电极为推挽型行波式电极结构,所述直流偏压电极为推挽型集总式电极结构。本发明的有益效果为,通过采用基于低介电常数材料基底晶片的铌酸锂薄膜结构,可去除二氧化硅缓冲层,实现铌酸锂强度调制器直流漂移现象的大幅抑制,显著提升铌酸锂强度调制器的长期工作性能和可靠性。
声明:
“低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)