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实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法

740   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 21:03:47
本发明公开了一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法,具体方法包括以下步骤,S1化学清洗铌酸锂晶体基片表面;S2,在铌酸锂晶体基片表面生长一层金属薄膜层;S3,将铌酸锂晶体基片放入热处理炉中,在氩气和氢气混合气体气氛中恒温退火处理,退火处理完成后,使铌酸锂晶体基片降温至室温25℃;S4,将铌酸锂晶体基片置于强酸溶液浸泡,然后超纯水冲洗去除表面剩余金属薄膜层,最后甩干铌酸锂晶体基片。本方法可与现有集成电路生产工艺流程及工艺设备结合,适合规模化生产,且各步骤流程化,操作简单方便,安全可靠,并可通过精确调节工艺设备参数,可以精确得到不同表面导电性的铌酸锂晶体表面。
声明:
“实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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