一种提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性 的方法,包括如下步骤:在铂金坩埚内,放置有带气孔的LiAlO2或LiGaO2和Li2O混合料块;将双面抛光或单面抛光的γ-LiAlO2或LiGaO2晶片置于或悬于铂金丝上,加上覆盖有LiAlO2或LiGaO2和Li2O混合粉料和热电偶的坩埚盖,坩埚顶部加铂金盖密闭,置于电阻炉中;该电阻炉加热升温至800~1200℃,恒温50~100小时,Li2O扩散到γ-LiAlO2和LiGaO2晶片中,修复因Li的非化学剂量比挥发所导致的基片表层缺陷,缓慢降温,从而提高了γ-LiAlO2和LiGaO2晶片表层的晶格完整性。由于仅衬底表层的质量对其上的外延膜有直接影响,本发明克服了高质量γ-LiAlO2和LiGaO2单晶衬底难以解决的问题,可用于生长高质量InN-GaN外延膜。
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