铌酸锂晶体是一种光学材料,具有良好的电光性 能和非线性光学性能,在激光方面可以制作光调制 器、Q开关、光倍频器等器件。 但是,在较低功率密度激光照射下,铌酸锂晶体 会产生局部光致折射率的变化——光折变,限制了它 的应用。 本发明的特征在于通过控制投料配比的方法实 现了富锂高掺镁铌酸优质晶体的制备,得到了一个最 佳投料比,晶体性能很好。
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