一种垂直温梯法生长铝酸锂(LiAlO2)和镓酸锂(LiGaO2)晶体。 垂直温梯法是从熔体的底部结晶, 固液界面自下而上移动生长晶体的一种方法。 所用的温梯炉是钟罩式真空电阻炉。温梯炉内生长晶体的坩埚是底部有籽晶槽, 顶端有盖。周围加热体外有保温屏。坩埚内加入按(1+x)∶1(x=0~0.1)配比的 高纯粉料经混合压块成型后装入。用垂直温梯法生长LiAlO2和LiGaO2晶 体克服了熔体组分挥发的问题, 可以生长出作为GaN基蓝光衬底的大面积的 LiAlO2和LiGaO2晶体。
声明:
“垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)