本发明公开了一种利用有机高分子材料降低
钙钛矿探测器暗电流的方法,通过对
关键材料,特别是有机材料的具体种类及用量的调控,并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进,对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置,达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器,其结构为ITO/多晶CsPbBr
3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr
3探测器具有较低的暗电流数量级,较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低廉,过程低温可控,且所制备的CsPbBr
3材料抗水氧能力优异,可将本发明方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
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