本发明公开了一种基于ME‑BT复合空穴传输层的
钙钛矿光电探测器及其制备方法,涉及光电探测器件技术领域,所述光电探测器包括从下到上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层,复合空穴传输层和金属阳极,所述复合空穴传输层包括上下两层,所述复合空穴传输层的上层材料为ME‑BT,下层材料为Spiro‑OMeTAD,本发明通过引入ME‑BT与Spiro‑OMeTAD形成复合空穴传输层,在提升器件光电流的同时,大幅降低其暗电流,解决了传统空穴传输层材料Spiro‑OMeTAD迁移率低,器件稳定性差,寿命较短的问题。
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“基于ME-BT复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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