本发明公开了一种DMAPbI3
钙钛矿单晶材料制备方法,通过降温控制溶液生长法获得光学带隙合适、光吸收系数高的大尺寸钙钛矿单晶材料。本发明还公开了一种离子注入改性的DMAPbI3钙钛矿单晶材料的制备方法,在DMAPbI3钙钛矿单晶材料表面进行Cu元素离子的注入,获得离子注入改性的DMAPbI3钙钛矿单晶材料,增加材料本征载流子浓度。本发明还公开了一种离子注入改性的DMAPbI3钙钛矿单晶材料的应用,应用本发明的离子注入改性的DMAPbI3钙钛矿单晶材料制备光探测器,本发明降低钙钛矿单晶探测器的暗电流,从而提高其光探测率性能。
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“DMAPbI3钙钛矿单晶的制备方法及其离子注入探测器的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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