本发明公开了一种具有
钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法,其中,GaN HEMT光电探测器包括衬底、位于衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层、位于AlGaN势垒层表面两侧的源漏电极,以及位于源漏电极之间的复合栅结构,其中,复合栅结构包括位于AlGaN势垒层上的钙钛矿以及位于钙钛矿层上的TCO层。本发明将钙钛矿图形化后,与透明导电氧化物组成复合栅结构,并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上,以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合,从而获得更好的光电响应,扩大了器件应用范围。
声明:
“具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)