本发明公开了一种用于高能射线探测的铅基卤素无机
钙钛矿膜的制备方法,该方法是利用组分调控得到前驱体原料,将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源,每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变,从而利用同源多分共蒸方法实现气相转移沉积钙钛矿膜的制备。本发明通过在气相转移沉积方法的沉积过程中补入适量的组分原料,同时采用同源多分共蒸的方法,可以制得适用于高能射线探测等用途的无机钙钛矿厚膜,该方法操作简单,制备出的钙钛矿厚膜厚度大、晶粒大、均匀性好且表面覆盖好,可制得性能良好且稳定性优异的半导体探测器。
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“用于高能射线探测的铅基卤素钙钛矿膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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