本发明属于半导体光电子器件技术领域,具体为一种高性能
钙钛矿/有机半导体光电探测器。本发明光电探测器通过叠层制备工艺制备,其结构由下至上依次为:透明底电极层,有机半导体和钙钛矿功能层,顶电极层;其中,有机半导体和钙钛矿功能层由下至上依次为空穴型有机半导体、钙钛矿、空穴型有机半导体,或者为电子型有机半导体、钙钛矿、电子型有机半导体;钙钛矿和有机半导体层构成两个异质结;顶电极为金属金或者金属银。该光电探测器响应光谱宽,对全波段的可见光谱具有响应,结构简单,工作电压0.7V,且具有电压饱和特性,能够有效抑制电压噪声对探测器性能的影响。
声明:
“高性能钙钛矿/有机半导体异质结型光电探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)