本发明涉及一种基于激光诱导烧蚀的SiCf/SiC铣削方法和装置,方法为:确定SiCf/SiC
复合材料的切削余量d后,对其进行激光诱导烧蚀处理(即用高激光功率密度的激光束直接扫描材料表面),使其表面厚度为d1(d‑d2=d1,d2为确保烧蚀产物和热影响层材料被完全切除的无影响层材料的最小径向切宽)的待去除材料变成粉末状的激光诱导烧蚀产物,再对其进行铣削加工;装置包括发生装置(用于形成所述激光束)、调整装置(用于调整激光束与材料的相对位置,使得激光束沿一定的路径扫描在材料上)、夹具(用于将材料安装于机床上)、刀具和机床(用于对材料进行铣削加工)。本发明的方法缩短了加工时间,装置的结构简单易操作。
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“基于激光诱导烧蚀的SiCf/SiC铣削方法和装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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