本发明公开了一种复合图形化衬底的制备方法,包括以下步骤:S1:制备蓝宝石基础衬底;S2:在S1步骤中制备的蓝宝石基础衬底表面固定支撑体,再在支撑体表面镀金属合金层,去除氧化膜,去除支撑体,即得空腔结构的蓝宝石衬底;S3:在蓝宝石衬底的空腔中填充纳米
复合材料,同时在金属合金层外表面形成AlN层;S4:在AlN层上进行光刻胶、坚膜以及两次ICP刻蚀处理;S5:清洗掉剩下的光刻胶,即得复合图形化衬底。本发明提出的制备方法简单、易操作,制得的复合图形化衬底晶体质量高,光的出射强,衬底整体的重量轻,生产成本低,基础衬底与GaN材料的温差小,晶体的性能稳定,晶格失配率低,MOCVD的使用效率高。
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