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在碳材料表面氧化并气相反应沉积氮化硅层的方法

806   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:40:58
一种在碳材料表面氧化并气相反应沉积氮化硅层的方法,它涉及碳材料表面气相反应沉积的方法。它是要解决现有的碳碳复合材料表面难以制备耐高温的红外热反射材料的问题。本方法:将碳材料放入热处理炉中,在待沉积面周围铺撒一氧化硅粉末或者块体;向热处理炉中通入氮气,在氮气气氛下,将热处理炉的温度升高至1350~1500℃并保持2~5小时,然后冷却至室温,碳材料的待沉积面上得到白色物质层;将白色物质层表层的絮状氮化硅纳米线刮掉,在碳材料表面得到氮化硅陶瓷层,氮化硅陶瓷层与基体的结合力强,提高综合保温性能,降低能耗。可用于碳材料表面处理领域。
声明:
“在碳材料表面氧化并气相反应沉积氮化硅层的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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