本发明涉及一种无催化剂合成碳化钽纳米晶须及制备方法,该方法生产工艺不借助催化剂,无金属杂质引入,TaC纳米晶须具有高纯度。同时,所需要的生产设备简单,工艺过程简单,参数易于控制,可靠性和重复性好,易于实现规模化生产。本发明工艺方法制备的TaC纳米晶须具有高纯度、大长径比(125‑2000)的明显优点,因而具有较高的比强度,可作为一种理想的纳米增强体应用于各种
复合材料中,以显著提高材料的强度与抗热震性,也可提高其导电性能。
声明:
“无催化剂合成碳化钽纳米晶须及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)