本发明公开了一种高
储能密度聚合物及基于场排列制备其的方法,属于高储能密度
复合材料技术领域。本发明中,
碳纳米管表面沉积均匀超薄的
氧化铝绝缘层,将其均匀添加到聚合物基体中,随后利用场排列技术使碳纳米管在聚合物基体中定向排列,在提高聚合物基体的介电常数的同时保持其相对较高的击穿强度;另外,向聚合物中添加氮化硼纳米片以增加聚合物基体的击穿强度;通过热压技术将高耐压层和高介电层结合在一起,获得同时具有高介电和高击穿的聚合物薄膜。不同于其他单纯地提高介电常数或者提高击穿强度从而提高聚合物储能密度的方法,本发明通过复合多层膜,使得聚合物薄膜同时具有高介电和高击穿性能,在较低的电场下就能获得更高的储能密度。
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