本发明公开了一种低维氮化硅
纳米材料的制备方法,包括以下步骤:1)将SiO粉末置于坩埚底部,分别将纳米碳粉、
碳纳米管、
碳纤维等材料置于坩埚中部,再将坩埚放在多功能烧结炉中,抽真空至真空度低于10‑3Pa;2)向多功能烧结炉内充入高纯氮气,气氛压力为0.225~0.5MPa;3)多功能烧结炉升温至1650℃~1850℃,保温1~3小时进行气固反应,得到尺寸形貌可控的Si3N4纳米颗粒、纳米管、纳米纤维等低维纳米材料。该制备方法工艺简便,成本低廉,不产生污染环境的气体。本发明获得的低维氮化硅纳米材料可以广泛应用于纳米场发射器件、纳米光电子器件和纳米
复合材料等领域。
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