本申请实施例公开了一种自偏置柔性磁电复合薄膜、传感器及其制备方法,所述自偏置柔性磁电复合薄膜包括磁致伸缩材料和压电材料,所述磁致伸缩材料为CoZn
xFe
2‑xO
4,所述压电材料为P(VDF‑TrFE)。在本申请实施例中,由于CoZn
xFe
2‑xO
4纳米颗粒具有较大的饱和磁化强度,所以能够增强磁电
复合材料中的磁性相,从而获得更大的磁电电压信号。CoZn
xFe
2‑xO
4纳米颗粒具有较高的剩余磁化强度,能够使磁电复合薄膜产生自偏置现象。另外,P(VDF‑TrFE)具有优秀的柔韧性和稳定性,基于目前可穿戴设备对柔性传感器件的需求,在可穿戴设备领域具有广阔的应用前景。
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