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自偏置柔性磁电复合薄膜、传感器及其制备方法

811   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:34:17
本申请实施例公开了一种自偏置柔性磁电复合薄膜、传感器及其制备方法,所述自偏置柔性磁电复合薄膜包括磁致伸缩材料和压电材料,所述磁致伸缩材料为CoZnxFe2‑xO4,所述压电材料为P(VDF‑TrFE)。在本申请实施例中,由于CoZnxFe2‑xO4纳米颗粒具有较大的饱和磁化强度,所以能够增强磁电复合材料中的磁性相,从而获得更大的磁电电压信号。CoZnxFe2‑xO4纳米颗粒具有较高的剩余磁化强度,能够使磁电复合薄膜产生自偏置现象。另外,P(VDF‑TrFE)具有优秀的柔韧性和稳定性,基于目前可穿戴设备对柔性传感器件的需求,在可穿戴设备领域具有广阔的应用前景。
声明:
“自偏置柔性磁电复合薄膜、传感器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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