本发明涉及Micro‑LED技术领域,具体涉及一种红光Micro‑LED
芯片及其制作方法,该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极;第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹;第一钝化层由Fe2O3@SiO2
复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底,可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片,该制备方法工艺简单,工作效率及成品率高,得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠,可满足大规模商业化应用。
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