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红光Micro-LED芯片及其制作方法

675   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:32:05
本发明涉及Micro‑LED技术领域,具体涉及一种红光Micro‑LED芯片及其制作方法,该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极;第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹;第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底,可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片,该制备方法工艺简单,工作效率及成品率高,得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠,可满足大规模商业化应用。
声明:
“红光Micro-LED芯片及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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