本发明提供一种硅/
石墨烯中空核壳结构的制备方法。将Si纳米球和浓氨水放入水和乙醇的溶液中超声均匀,再加入四乙氧基
硅烷,室温下搅拌反应,离心清洗得到Si/SiO
2核壳结构;采用CVD法在氢气、氩气与甲烷的氛围中生长石墨烯,生成Si/SiO
2/石墨烯核壳结构,放入与其尺寸相当的石墨烯分散液中搅拌,石墨烯层变厚,用HF酸刻蚀掉SiO
2,得到硅/石墨烯中空核壳结构。本发明所述方法得到中空核壳结构可有效缓解硅的体积膨胀,褶皱石墨烯增加了
复合材料的弹性与韧性,可进一步缓解硅的体积膨胀,石墨烯层导电性能好于还原氧化石墨烯,耗能低,易控制,合成步骤简单,适于工业或实验室操作。
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