本发明属于无机
复合材料技术领域,具体涉及一种低导热多孔氮化硅材料的制备方法,包括以下步骤:待渗积基体的预处理,渗积用Al2O3-SiO2溶胶的制备,多孔氮化硅基体的真空渗积及胶凝化、老化处理,Al2O3-SiO2凝胶的干燥得到低导热多孔氮化硅材料。本发明改善了多孔氮化硅的导热性能,具有科学合理,易于实施,生产周期短,投资成本低的优点。
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“低导热多孔氮化硅材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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