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Spindt型阴极阵列的制备方法

822   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:30:14
一种Spindt型阴极阵列的制备方法,制备Si-TaSi2共晶自生复合材料铸锭,并通过Bridgman方法进行定向凝固,得到TaSi2在Si基体上均匀分布的试样棒。采用HNO3/HF腐蚀液,通过刻蚀的方法在试样的表面制备出有TaSi2的Spindt型阴极阵列。得到的TaSi2的Spindt型阴极阵列的长径比为35:1,尖锥曲率半径为18nm。Si基体上TaSi2的均匀性比较好,面密度达到了1.05×106rod/cm2,TaSi2的直径为3μm。与现有技术中长/径比为2:1的阵列相比,其场发射性能有了很大的提高,可应用于场发射显示器件,以及场效应二极管,平板显示器,传感器等器件。
声明:
“Spindt型阴极阵列的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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