一种Spindt型阴极阵列的制备方法,制备Si-TaSi2共晶自生
复合材料铸锭,并通过Bridgman方法进行定向凝固,得到TaSi2在Si基体上均匀分布的试样棒。采用HNO3/HF腐蚀液,通过刻蚀的方法在试样的表面制备出有TaSi2的Spindt型阴极阵列。得到的TaSi2的Spindt型阴极阵列的长径比为35:1,尖锥曲率半径为18nm。Si基体上TaSi2的均匀性比较好,面密度达到了1.05×106rod/cm2,TaSi2的直径为3μm。与现有技术中长/径比为2:1的阵列相比,其场发射性能有了很大的提高,可应用于场发射显示器件,以及场效应二极管,平板显示器,传感器等器件。
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