本发明公开了一种使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物
半导体材料的方法和系统,所述方法和系统实现了来自靶的金属前体材料和来自Se基生成系统的Se基的同时沉积。Se基生成系统包括产生Se蒸汽的蒸发器和使用等离子体生成Se基通量的等离子腔室。可以依次进行多个这种沉积操作,每一个操作具有准确控制的沉积温度。沉积材料可以包括组分浓度梯度或者可以是
复合材料,并可以用作
太阳能电池中的吸收层。
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“使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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