本发明公开了一种ZnO-Ag表面增强拉曼散射
芯片及其制备、保存方法、用途,本发明公开的ZnO-Ag复合基底可通过简单的光反应恢复活性,在室温下可保存三个月。在该
复合材料上修饰探针,构建具有表面增强拉曼效应的芯片,通过修饰巯基类探针分子,可将原本拉曼活性低的炸药分子捕获到芯片上,通过协同共振,两者同时产生表面增强拉曼信号,比单一的无探针修饰的基底具有对炸药分子更好的灵敏度,同时,该芯片对多种炸药有很好的拉曼响应,且对炸药TNT有单一的强选择性。
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“ZnO-Ag表面增强拉曼散射芯片与制备、保存方法以及用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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