本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法,该方法包含以下步骤:步骤1,制备AgNWs乙醇浆料,其中,AgNWs具有高长径比;步骤2,将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中,得到基体浆料;步骤3,将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合,干燥;其中,AgNWs在混合物中的质量含量不高于7%;步骤4,压制成型,制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性,容易在材料内部形成逾渗网络,获得低逾渗阈值,进而有效降低介电损耗。特别地,当AgNWs的含量达到7wt.%,
复合材料表现出低的介电损耗,其损耗正切角在GHz频段内低于0.1,在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。
声明:
“低介电损耗负介材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)