本发明属于纳米
复合材料合成技术领域,具体涉及一种可控制备复合型纳米图纹阵列的方法。在有序纳米图纹化结构模板表面溅射一层Ag膜后形成Ag纳米帽子阵列以及Ag纳米三角形阵列;再将Ag纳米帽子阵列倒置转移到另一个Si衬底上,得到二次模板;将PS小球完全刻蚀,得到Ag纳米碗阵列;对PS小球进行刻蚀不同时间,并在其表面溅射沉积一层TiO
2膜分别得到Ag‑TiO
2‑FON阵列、Ag‑TiO
2纳米帽‑星阵列以及Ag‑TiO
2纳米环‑粒子阵列。本发明克服了现有技术中的有序纳米结构活性基底的构筑步骤繁琐、有序性与致密度较低,同时制备周期长、费用昂贵、试验条件要求苛刻等缺陷,因而具有均匀性好、有序度高、可重复性强、构筑步骤简单、制备周期较短以及成本较低的优点。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)