本发明涉及一种金属杂原子掺杂二维SnS
2纳米片阵列垂直生长在碳布上作为
钠离子电池负极材料的制备方法。该方法步骤包括:将金属盐,锡化物和硫化物按照一定摩尔比混合均匀成稳定的溶液后转移至放置碳布的反应釜中,一定温度下反应一段时间;结束后用蒸馏水、无水乙醇反复冲洗碳布数次,干燥后得到金属杂原子掺杂的SnS
2纳米片生长在碳布上的
复合材料。本发明的优点在于:条件易控,工艺简单可行,无污染,产物具有优异的比容量,倍率性能和快速充放电性能。
声明:
“金属杂原子掺杂的二硫化锡纳米片阵列作为无粘结剂钠离子电池负极材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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