一种大功率晶体管的制造方法,属于半导体器件的制造工艺。本发明采用AlN、AlN加液晶高分子
复合材料或莫来石等作为绝缘导热材料,双面金属化后又涂镀易焊金属,同时将晶体管管基上局部涂镀易焊金属,提高绝缘导热瓷片与金属管基和
芯片间的有效浸润面积,减小了焊接空洞。本发明将绝缘导热片的上表面与芯片下电极连通的部分用拱形横担连接线与引出线连接起来。本发明提供了一种大功率晶体管的制造方法,适用于普通晶体管,选极晶体管的制作。
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