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纳米压印光刻胶

831   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:20:39
本发明涉及一种电子元件的微结构化方法,其提 供高分辨率(≤200纳米)和良好纵横比,但明显比照相平版印 刷法更为经济。根据本发明的方法包括下列步骤:i)制备如权 利要求1的纳米复合材料组合物的未固化的平面溶胶膜;ii)制 备由底涂层b)和载体c)组成的目标底材;iii)借助微结构化的转 移压印冲头将得自i)的溶胶膜材料转移至ii)中的底涂层b)上; iv)将转移的溶胶膜材料予以固化;v)移除转移压印冲头,得到 压印的微结构作为顶涂层a)。微结构化的半导体材料的制备另 外包括下列步骤:vi)等离子体蚀刻残余的纳米复合材料溶胶膜 层,优选用 CHF3/O2等离子体,vii)等离子体蚀刻底涂层,优选用 O2等离子体,viii)蚀刻半导体材 料或者在经蚀刻区域掺杂半导体材料。
声明:
“纳米压印光刻胶” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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