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纳米半导体异质结SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)及其制备方法、应用

885   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:17:28
本发明涉及一种纳米半导体异质结SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)及其制备方法、应用,包括:将纳米材料SnO2分散于含有M(M=Ag、Au、Pt)离子或化合物的盐的溶液中,当SnO2表面充分吸附M(M=Ag、Au、Pt)离子或化合物后,离心分离,将离心后的化合物用去离子水漂洗2‑3次;将漂洗后的化合物分散于一定浓度的还原性溶液(NaBH4、VC)中,充分反应然后再离心分离;将所得产物用去离子水漂洗数次,烘干,即得SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)纳米半导体复合材料。该方法制备成本低、操作简单容易、耗时少、效率高、稳定性好、环境友好,重复性好、易于普适性和规模化生产。本发明制备的半导体复合材料SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)在太阳能电池、透明电极材料、光催化、气敏传感器等领域中有很好的应用前景。
声明:
“纳米半导体异质结SnO2@M(M=Ag、Au、Pt)及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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