本发明属于纳米
复合材料技术领域,尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底,由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成,其在水平方向上设置有一个横向开孔,所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO
2薄膜,在TiO
2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成,以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑,将TiO
2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷,通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境,以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。
声明:
“横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)