本公开是高阻薄膜制备方法及高阻薄膜。该方法包括:将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理;在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积;在所述导电层上制备复合叠层结构,所述复合叠层结构包括i个循环结构,每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相;在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层;对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。其中,通过ALD制备出特定比例的高阻系材料与低阻系材料的
复合材料,通过调控复合材料中导电相的循环比例,从而可以获得电阻可控的MCP用高阻薄膜。
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