本发明涉及一种MPCVD法制备
石墨烯包覆Co3O4粉体的方法,属于微波等离子与
复合材料技术领域。将Co3O4基底粉体平铺,抽真空至压强1mTorr以内,然后Ar、H2、CH4按照气体流量比为9:10:1~5通入,保持压强为1~90Torr,开启微波等离子体,在温度为300~500℃下沉积反应30~120min,反应结束后,切断CH4气体,保持通入非氧化气体冷却至室温后关闭非氧化气体,抽真空至压强为1mTorr,通入空气至常压得到石墨烯包覆Co3O4粉体。本发明制备过程中采用Co3O4粉体为镀覆基体,制备得到的石墨烯包覆Co3O4粉体,与常规石墨烯包覆复合粉体材料相比,本发明的石墨烯包覆Co3O4粉体中石墨烯为少层鳞片状石墨烯,包覆均匀性好。
声明:
“MPCVD法制备石墨烯包覆Co3O4粉体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)