本发明涉及一种基于Ga2O3/
钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法,包括:选取半绝缘半透明衬底;在所述衬底表面淀积形成底电极;在所述底电极表面淀积Ga2O3层;在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层;在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极,以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器,可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱;具有较高的响应度和探测率,同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率;该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长,生产成本低,无需昂贵的仪器设备等优点。
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