本发明属于
纳米材料制备技术领域,公开了一种垂直取向
石墨烯及其制备方法和应用。通过电沉积技术在泡沫镍上生长垂直取向的石墨烯,然后以泡沫镍上生长的垂直取向石墨烯为基底,把二氧化锰沉积在基底上制得
复合材料。本发明的方法和所需设备要求简单、条件易控、安全且成本低,所制得的石墨烯,拥有较大的比表面积,将其和二氧化锰复合所得的复合材料具有良好的
电化学性能。
声明:
“垂直取向石墨烯及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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