本发明公开了一种高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)将水溶性的钛源、氟源、富含N的有机化合物按照摩尔比1 : (0.3~30) : (0.1~10)混合后配成水溶液,并转移到水热反应釜中,反应制得
复合材料;(2)将上述复合材料经过滤洗涤后,在马弗炉中煅烧制得高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂。本发明采用水热反应自组装,一步制备出高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂,其制备工艺简单,生产成本大幅降低,制得的TiO2/g‑C3N4复合光催化剂材料界面更加均匀;TiO2/g‑C3N4复合光催化剂在可见光下降解有机污染物的速率比纯g‑C3N4提高了近一个数量级,表现出更强的光催化性能和更低的光生电荷复合效率。
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